688825.SH 长鑫科技（长鑫存储）：DRAM 国产替代与周期反转

市场快照

A 股价（约 7/31）

CNY 54

市值（约）

CNY 3610.0B

2025 归母净利

CNY 1.9B

2026H1 归母预告中值

CNY 53.5B

投资论点

长鑫科技（市场常称「长鑫存储」，688825.SH）是国内 DRAM 设计制造一体化龙头，2026-07-27 登陆科创板。2025 年营收 617.99 亿、合并净利 71.44 亿、归母净利 18.75 亿（年度扭亏）；产品以 LPDDR / DDR 为主。2026Q1 营收约 508 亿（+719%），上半年归母预告 500–570 亿。

A 股价约 54 元、市值约 3.6 万亿——基本面拐点与极高估值并存。全球对照见 美光 MU。

主营业务

商业模式：DRAM 设计制造一体化，向消费电子、服务器等客户销售存储芯片；盈利高度绑定 DRAM 价格周期与产能利用率。

拳头产品 / 服务：

1. LPDDR / DDR — 当前出货主力，支撑 2025 营收 617.99 亿与扭亏。
2. 产能扩建与先进制程推进 — 决定份额与成本曲线。
3. 国产替代订单 — 国内大客户导入是份额弹性来源。

竞争力：

1. 国内稀缺的 DRAM IDM 能力与产能规模。
2. 2025 扭亏与 2026 上半年高预告显示周期位置与运营改善真实。

战略前瞻（12–24 个月）：制程追赶、HBM/高带宽相关能力（若有路线图）、大客户份额。近端业绩主要由 DRAM 价格决定。

产业链

定位：中游存储 IDM——上游是设备、材料与 EDA/IP，下游是手机/PC/服务器 OEM 与模组厂。

供应链风险点：

1. 先进设备与材料管制限制扩产与制程。
2. DRAM 价格与大客户集中导致收入与利润剧烈波动。

价格与估值

上市初期定价反映「周期反转 + 国产替代」远期折现。相对国际存储三巨头，市值已处同一量级讨论区间，但份额与技术仍有差距；高预期下任何 DRAM 价格回撤都会放大波动。

财务趋势（约 24 个月）

近 8 季脚手架序列（含 YoY/QoQ）。数据局限：科创板上市初期完整季度明细有限，序列按年报/预告锚定估算，用于趋势对照而非审计拆分。2026Q1 营收跳升反映景气与披露口径，解读时需结合公司说明。

主营收入 · 近 8 季

交互图表见阅读器。

毛利率（估） · 近 8 季

交互图表见阅读器。

经营情况

关键财务要点

关键财务要点

项目	数值	同比	要点
Revenue 2025	¥61.799B	~+155%	DRAM ramp
Consol. NI 2025	¥7.144B	turnaround	2024: −¥9.05B
Parent NI 2025	¥1.875B	turnaround	Large NCI share
Q1'26 revenue	~¥50.8B	+719%	Cycle acceleration
H1'26 parent NI guide	¥50–57B	—	IPO pricing anchor

竞争格局

全球对标三星、海力士、美光；国内替代叙事与全球份额现实并存。

优势：国产产能与政策支持；周期上行中盈利弹性大。

劣势：技术节点与 HBM 等产品组合仍落后；市值已高、容错低；少数股东权益结构使归母与合并净利差异大。

竞争对照

竞争对照

公司	份额/定位	利润率	优势	劣势
长鑫科技 688825	国内 DRAM 一体龙头	周期上行中抬升	国产替代+产能	技术/份额落后三巨头；估值高
美光 MU	全球 DRAM 三巨头	周期领先	先进制程与客户	地缘与对华限制
SK 海力士	全球三巨头	HBM 领先	HBM/先进DRAM	资本开支周期
三星电子	全球三巨头	规模最大	产能与垂直整合	存储价格周期

管理层

上市初期以招股书披露的董事高管为准；近 24 个月核心事件是 2026-07 科创板 IPO。

稳定性判断：过渡期——上市后治理与信息披露节奏变化，需跟踪高管锁定与后续任命。

核心管理层（近 24 个月）

核心管理层（近 24 个月）

岗位	姓名	任职起	24 个月变动
董事长	见招股书/年报	上市前后披露	科创板 IPO（2026-07）；核心团队以招股披露为准
总经理/CEO	见招股书	披露任职	上市窗口期，关注后续高管公告
财务负责人	见招股书	披露任职	期间以招股及上市后公告为准
技术负责人	见招股书	披露任职	制程路线与产能相关

展望

短中期跟踪 DRAM 现货/合约价、产能利用率、先进制程推进与大客户导入；2026 全年盈利高度依赖价格能否维持高位。

情景框架

风险